通辽科技大市场暨内蒙古东部常设技术市场
牺牲层腐蚀技术制造的带场效应管的纳米梁谐振器
| 本发明的目的是提供一种低成本、适应检测的牺牲层腐蚀技术制造的带场效应管的纳米梁谐振器，这种纳米梁谐振器制作工艺简单，与纳机电器件工艺兼容，而且可与静电驱动配合实现纳米梁谐振器的结构、驱动及检测三者全集成。而且不管梁的尺寸如何改变，这种方法均是适用的。本发明的上述目的是采用如下技术方案予以实现的：包含纳米梁谐振器及其金属电极，所述纳米梁谐振器是在绝缘层上硅材料上用牺牲层腐蚀技术制造出的，利用牺牲层腐蚀技术控制纳米梁长度，在纳米梁两端进行掺杂形成p–i–p或n–i–n沟道结构，作为场效应管沟道的纳米梁，衬底硅作为场效应管的栅电极。本发明的实施，可以为今后纳米梁谐振器降低成本、推广应用范围起到很好的作用。 |
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