一种制造IC中高压半导体器件的工艺
发布日期:2010/4/12 8:44:09
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    通过对CMOS高压智能集成电路设计和工艺技术相关内容的研究,成功的开发出我国自己的高压功率集成工艺技术,并在上海贝岭公司建立了国内第一条660V高压功率IC生产线。在此基础上,制造出国内第一块耐压达660V、大功率(30瓦、若在固定电压应用状态下可达50瓦)、高低压兼容、数模混合CMOS工艺实现的PWM(脉宽调制)开关电源芯片,内部具有电流线性控制占空比转换、过温和过流保护、过/欠压保护、切断/自启动等特点;同时外围电路简单,电源转换效率高。其主要技术指标均达到设计要求,除耐压尚有40V的差距外;技术水平达到国内领先水平。与上海贝岭合作开发的高压功率IC生产线也为今后加工制作各种具有自主知识产权的国产高压智能功率IC产品提供了可能,使更多从事此方面研发的人员有通过实践检验自己设计思想正确性的机会,最终使我国的高压功率IC在市场上占据一席之地。
  本成果是与上海贝岭股份有限公司共同开发的,并在其高压功率IC生产线获得成功。现已成功的生产出一款耐压为660V的PWM AC/DC电源电路IC样片,其所有技术指标,除耐压相差6%外,均达到设计要求,同时该生产线可以为其它产品的生产提供条件,因而本成果应用转化的市场前景非常好。

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