设备名称:电感耦合等离子体刻蚀机
仪器型号:ICP ASE
所属单位:西北工业大学-微/纳米实验室
设备原值:35 万元
制造厂商:英国STS公司
生产国别:英国
当前状态:对外服务
仪器设备详细指标
主要技术指标 0 微米深硅刻蚀 约 2.5 微米独立汽坑宽 大于 1 微米光刻胶掩膜厚度或大约 0.5 微米 SiO2 掩膜掩膜圆形的硅暴露面积小于 10% 刻蚀速度 >2 微米/分钟 光刻胶的选择比: >50 : 1 SiO2 的选择比 >100 : 1边壁角度 : 90± 1 度
功能/应用范围 主要用于硅材料的深槽刻蚀,同时又兼顾MEMS表面工艺中的浅硅刻蚀。
服务领域 农/林/牧/渔 轻工/纺织 石油/石化 食品/烟草 地质/矿产 矿业/冶金 钢铁/有色金属 水文气象 非金属/珠宝 橡胶/塑料(材料) 通信/邮政 机械制造 医疗/卫生 生物/医药 地质勘探 电气工程 仪器/仪表 航空/航天 电子/信息技术 交通/运输(公路/铁路) 环保/水利/气象/天文 其它
技术特色
服务情况及收费标准
对外服务(平均机时/年)
收费标准(元/样品)
联系方式
联系人 马志波
联系电话 029-88495102-8031
传真 029-88495102
电子邮件 zbma@nwpu.edu.cn
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