1. 当前位置：首页 > 技术交易 > 技术项目
高崩溃电压金属-绝缘体-金属电容器
发布日期：2019/4/1 15:32:43
查看次数：次
【字体：大 中 小 】

[发明公布] 高崩溃电压金属-绝缘体-金属电容器

  • 申请公布号：CN105097959A
  • 申请公布日：2015.11.25
  • 申请号：2014101875316
  • 申请日：2014.05.06
  • 申请人：稳懋半导体股份有限公司
  • 发明人：花长煌;
     劭耀亭; 许政庆; 朱文慧
  • 地址：中国台湾桃园县
  • 分类号：H01L29/92(2006.01)I; H01L27/108(2006.01)I  全部
    • 专利代理机构：北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙)11301
    • 代理人：刘祖芬
摘要： 本发明提供一种高崩溃电压金属-绝缘体-金属电容器，应用于复合半导体集成电路，包括：一基板、一隔离层、一第一金属层、一介电材料层、一粘合层以及一第二金属层；其中介电材料层是由复数层二氧化铪（HfO2）层与复数层二氧化硅（SiO2）层交替堆叠而成，复数层二氧化铪层的每一层的厚度大于30？且小于100？，借此使得复数层二氧化铪层的每一层的二氧化铪的漏电流降低以及崩溃电压提高且同时保有高电容密度；且由复数层二氧化铪层与复数层二氧化硅层交替堆叠而成的介电材料层的厚度大于500？，借此使得电容器的崩溃电压提高至50V以上。

【 纠 错 】 【加入收藏】【打印本页】【关闭窗口】