1. 当前位置：首页 > 技术交易 > 技术项目
用于半导体处理腔室的制品
发布日期：2021/5/31 15:32:52
查看次数：次
【字体：大 中 小 】

[实用新型] 用于半导体处理腔室的制品

  • 授权公告号：CN213295503U
  • 授权公告日：2021.05.28
  • 申请号：2019211365089
  • 申请日：2019.07.18
  • 专利权人：应用材料公司
  • 发明人：邬笑炜; J·Y·孙; M·R·赖斯
  • 地址：美国加利福尼亚州
  • 分类号：C23C16/40(2006.01)I; C23C16/455(2006.01)I  全部
摘要： 本公开的实施例涉及用于半导体处理腔室的制品。所述制品包括：主体；含稀土金属的氧化物涂层，所述含稀土金属的氧化物涂层共形地覆盖所述主体的表面，所述含稀土金属的氧化物涂层具有0％的孔隙率；以及缓冲层，所述缓冲层在所述主体的所述表面上，其中所述含稀土金属的氧化物涂层覆盖所述缓冲层，其中，所述含稀土金属的氧化物涂层具有以小于+/‑20％的厚度变化、+/‑10％的厚度变化、+/‑5％的厚度变化、或者更小的厚度变化而涂覆的下层表面的保形覆盖。

【 纠 错 】 【加入收藏】【打印本页】【关闭窗口】