一种NMOS高侧驱动电路

【实用新型专利】  【事务数据】

授权公告号：CN213094173U

授权公告日：2021.04.30

申  请  号：2020224433689

申  请  日：2020.10.28

专 利 权人：刘宝成

地      址：028000内蒙古自治区通辽市内蒙古民族大学工学院

发  明  人：刘宝成

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摘      要：本实用新型涉及一种NMOS高侧驱动电路，特别是涉及一种含有微控制器的、用于直流电源开、关控制的NMOS高侧驱动电路。包括微控制器电路、光电隔离电路、升压驱动电路、NMOS管、辅助电源电路、被控直流电源和被控负载或用电装置。在这种控制中NMOS管相当于电源开关，NMOS管饱和导通相当于开关闭合，NMOS管截止相当于开关断开，而一般NMOS管饱和导通需要栅极电位高于源极电位4V甚至10V以上，现有技术一般需要使用专用驱动芯片或升压变压器提供这个驱动电压，本实用新型利用系统本身含有的微控制器及常见电阻、电容等低成本元器件产生NMOS高侧驱动所需的驱动电压。这种NMOS高侧驱动电路具有电路简单、易于实现的特点，可以降低电路设计的复杂度，提升产品的性价比。