本实用新型公开了一种可区分晶面的碳化硅晶体,涉及碳化硅单晶制备技术领域;所述晶体的上或下表面为碳面,相对另一面为硅面;碳面和硅面之间为晶体本体,所述晶体本体的侧面设置有刻制的标识结构,所述标识结构的刻制深度为10‑50μm,标识结构用于区分碳面和硅面;本实用新型通过在晶体的侧面通过刻痕的形式设置标识结构,不易在生产加工的过程中消除或引入杂质污染,且可以方便快速的对晶锭或晶片两个晶面进行区分,提高了加工生产的效率;解决了碳化硅晶锭/片及加工过程中碳化硅晶锭/片晶面易混淆,无法识别的问题。
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