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一种氧化镓晶体生长炉
发布日期：2025/8/1 10:14:04
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[实用新型] 一种氧化镓晶体生长炉

授权公告号：
CN223176257U
授权公告日：
2025.08.01
申请号：
2023228245752
申请日：
2023.10.20
专利权人：
杭州镓仁半导体有限公司
发明人：
王琤;杨守智;沈典宇;王芸霞
地址：
311202浙江省杭州市萧山区宁围街道建设三路733号信息港五期一号楼205-62

摘要：

本实用新型公开一种氧化镓晶体生长炉，包括炉体和升降机构，炉体内的功能组件将炉体的内腔分隔出生长腔和预热退火腔，升降机构包括坩埚和升降组件，升降组件能够带动坩埚进出生长腔和预热退火腔，以使坩埚内的物料能够在预热退火腔内进行预热，在生长腔内完成氧化镓晶体生长，生长完成的氧化镓晶体在预热退火腔内进行退火。本实用新型的生长炉采用生长腔和预热退火腔分隔开来的双腔结构，且功能组件能够散热状态和隔热状态之间进行切换，以适应氧化镓晶体生长和退火处理的不同温度需求，生长完成的氧化镓晶体在预热退火腔内进行原位退火，大幅减少了晶体位错。

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